Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
| Autores: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Tipo de documento: | artigo |
| Data de publicação: | 2012 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositório: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:16347 |
| Acesso em linha: | https://oa.upm.es/16347/ |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | aluminium compounds electron-hole recombination excitons gallium compounds III-V semiconductors indium compounds photoluminescence semiconductor heterojunctions two-dimensional electron gas wide band gap semiconductors |
| Descrição não disponível. |