Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications

Detalhes bibliográficos
Autor: Bilousov, Oleksandr
Formato: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2014
País:España
Recursos:Universitat Rovira i virgili (URV)
Repositorio:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
OAI Identifier:oai:urv.cat:TDX:1409
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409
http://hdl.handle.net/10803/283316
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:621.3
548
538.9
537
Graphene
porous GaN
Grafeno
GaN poroso
semiconductor
CVD
GaN porós
Descrição
Descrição não disponível.