Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies

Detalles Bibliográficos
Autores:	López Escalante, María Cruz, Gabás Pérez, María Mercedes\|\|\|0000-0002-9626-6131, García Vara, Iván\|\|\|0000-0002-9895-2020, Barrigón Montañés, Enrique, Rey-Stolle Prado, Ignacio\|\|\|0000-0002-4919-5609, Algora del Valle, Carlos\|\|\|0000-0003-1872-7243, Palanco López, Santiago, Ramos Barrado, José Ramón
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2015
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:47897
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/47897/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	III–V semiconductors GaInP AlInP ARXPS Depth profiling Interfaces

Descripción
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