Optical Control of Synaptic Plasticity in Perovskite Memristors

Los diodos emisores de luz basados en perovskita (PeLEDs) han despertado un interés creciente debido a su alta eficiencia cuántica, bajo coste de fabricación y propiedades optoelectrónicas ajustables. En particular, los nanocristales de bromuro de plomo y cesio ($CsPbBr_3$) ofrecen una excelente est...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Gordillo Durán, Rodrigo
Tipo de recurso: tesis de maestría
Fecha de publicación:2025
País:España
Institución:Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Repositorio:UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:upcommons.upc.edu:2117/452360
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/2117/452360
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Electric resistors
Memristors
Perovskite
Memristor
Perovskites
Neuromorphic Computing
Synapse
Perovskitas
Computación neuromórfica
Sinapsis
Resistències elèctriques
Perovskita
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
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Control óptico de la plasticidad sináptica en memristores de perovskita
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description Los diodos emisores de luz basados en perovskita (PeLEDs) han despertado un interés creciente debido a su alta eficiencia cuántica, bajo coste de fabricación y propiedades optoelectrónicas ajustables. En particular, los nanocristales de bromuro de plomo y cesio ($CsPbBr_3$) ofrecen una excelente estabilidad térmica y características ópticas destacadas, lo que los convierte en candidatos prometedores para aplicaciones optoelectrónicas de nueva generación. Más allá de la emisión de luz, estudios recientes indican que las perovskitas pueden exhibir un comportamiento memristivo, reteniendo memoria de estímulos eléctricos pasados, lo que resalta su potencial en la computación neuromórfica. Esta tesis investiga las propiedades memristivas de fotodiodos de CsPbBr_3 impresos mediante inyección de tinta, caracterizando sus respuestas eléctricas y ópticas ante estímulos externos. El objetivo es comprender mejor sus capacidades multifuncionales y explorar su integración en futuros dispositivos optoelectrónicos y de memoria.
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