Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desa...
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | México |
| Recursos: | Universidad Autónoma de San Luis Potosí |
| Repositorio: | Redalyc-UASLP |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:94217406 |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94217406 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Física, Astronomía y Matemáticas GaAs AlGaAs metrologÍa Contactos óhmicos Efecto Hall cuántico |
| Resumo: | Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desarrollados totalmente en México. Sepresentan los resultados de la caracterización de los dispositivos y se hace un análisis de la influencia de los contactos enla degradación de la cuantización de la resistencia. Se discuten modificaciones en la fabricación con el objetivo de obtenerdispositivos para aplicaciones en Metrología. |
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