Effect of dielectric thickness on resistive switching polarity in TiN/Ti/HfO2/Pt stacks

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores: Vinuesa Sanz, Guillermo, García García, Héctor, Bargalló González, Mireia, Kalam, Kristjan, Zabala, Miguel, Tarre, Aivar, Kukli, Kaupo, Tamm, Aile, Campabadal Segura, Francesca, Jiménez López, Juan Ignacio, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de documento: artigo
Estado:Versão publicada
Data de publicação:2022
País:España
Recursos:Universidad de Valladolid
Repositório:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/62092
Acesso em linha:https://doi.org/10.3390/electronics11030479
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/62092
Access Level:Acceso aberto
Palavra-chave:Resistive switching
Switching circuits
Circuitos eléctricos
Electric resistors
Resistencias eléctricas
Conductive filament
Nonvolatile random-access memory
Memoria de acceso aleatorio no volátil
Polarity
Oxide
Hafnium
Electronics
Electricity
2202.03 Electricidad
2203 Electrónica
Descrição
Resumo:Producción Científica

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