Realización de transistores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo III-V

El objetivo de este trabajo ha sido la optimizacion tanto de la intercara aislante-semiconductor, como de los pasos tecnologicos necesarios para fabricar un transistor de efecto de campo de buena calidad, con estructura de puerta Al/SiNx:H/InP. En el primer caso, esta optimizacion se ha realizado me...

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Bibliographic Details
Author: Redondo Romero, Estefanía
Format: doctoral thesis
Publication Date:2004
Country:España
Institution:Universidad Complutense de Madrid (UCM)
Repository:Docta Complutense
Language:Spanish
OAI Identifier:oai:docta.ucm.es:20.500.14352/55508
Online Access:https://hdl.handle.net/20.500.14352/55508
Access Level:Open access
Keyword:Transistores
Electricidad
2202.03 Electricidad
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