Influence of buffer-layer surface morphology on the self-organized growth of InAs on InP(001) nanostructures

3 pages, 3 figures.-- PACS: 81.05.Ea; 68.65.+g; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 68.35.Bs; 68.55.Jk; 81.15.Hi; 81.15.Ef

Detalhes bibliográficos
Autores:	González Sotos, Luisa, García Martínez, Jorge Manuel, García García, Ricardo, Briones Fernández-Pola, Fernando, Martínez Pastor, Juan Pascual, Ballesteros Pérez, Carmen Inés
Tipo de documento:	artigo
Data de publicação:	2000
País:	España
Recursos:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositório:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/21725
Acesso em linha:	http://hdl.handle.net/10261/21725
Access Level:	Acceso aberto
Palavra-chave:	Indium compounds III-V semiconductors Surface structure Molecular beam epitaxial growth Semiconductor growth

Descrição
Resumo:	3 pages, 3 figures.-- PACS: 81.05.Ea; 68.65.+g; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 68.35.Bs; 68.55.Jk; 81.15.Hi; 81.15.Ef