Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores:	Mistroni, Alberto, Jia, Ruolan, Dorai Swamy Reddy, Keerthi, Reichmann, Felix, Wenger, Christian, Perez, Eduardo, Castán Lanaspa, María Helena, Perez-Bosch Quesada, Emilio, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de documento:	artigo
Estado:	Versão publicada
Data de publicação:	2024
País:	España
Recursos:	Universidad de Valladolid
Repositório:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/73756
Acesso em linha:	https://doi.org/10.1109/LED.2024.3485873 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/73756
Access Level:	Acceso aberto
Palavra-chave:	1T1R , CMOS , cryogenic temperatures , HfO2 , resistive switching , RRAM Cryogenics Logic gates Switches MOSFET Voltage measurement Switching circuits Resistance Hafnium oxide Current measurement Transmission electron microscopy 1T1R CMOS Cryogenic temperatures HfO2 Resistive switching RRAM 2203 Electrónica 3307.91 Microelectrónica. Tecnología del Silicio electrónica

Descrição
Resumo:	Producción Científica