CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS DE AlGaAs OBTENIDAS POR MAGNETRON SPUTTERING RF
Las películas de AlGaAs fueron depositadas por pulverización catódica asistida por campo magnético sobre sustratos de vidrio y Si (100). Se mantuvo constante la temperatura del substrato y se varió la relación de la potencia de los blancos de Al y GaAs. Para disminuir los efectos del desacople del p...
| Autores: | , |
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2018 |
| País: | Colombia |
| Recursos: | Universidad Nacional de Colombia |
| Repositorio: | Repositorio UN |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67293 |
| Acesso em linha: | https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67293 http://bdigital.unal.edu.co/68322/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | 53 Física / Physics 5 Ciencias naturales y matemáticas / Science AlGaAs Magnetron Sputtering Pulverización catódica |
| Resumo: | Las películas de AlGaAs fueron depositadas por pulverización catódica asistida por campo magnético sobre sustratos de vidrio y Si (100). Se mantuvo constante la temperatura del substrato y se varió la relación de la potencia de los blancos de Al y GaAs. Para disminuir los efectos del desacople del parámetro de red entre la capa de AlGaAs y los substratos, se depositó una capa buffer de GaAs. Los espectros de difracción de rayos X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial (111). Los espectros Raman evidencian un comportamiento de dos modos, correspondiente a modos vibracionales TO y LO de GaAs y de AlAs, respectivamente. |
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