Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm

Detalles Bibliográficos
Autor: Alpuim, P.
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2016
País:Brasil
Institución:Universidade de São Paulo (USP)
Repositorio:Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual)
Idioma:inglés
OAI Identifier:002744176
Acceso en línea:https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/8/085302
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:FOTOLITOGRAFIA
Descripción
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