[pt] ESTUDO TEÓRICO E EXPERIMENTAL DO COMPORTAMENTO DINÂMICO DE LASER SEMICONDUTOR

[pt] Neste trabalho apresenta-se um estudo do comportamento dinâmico de laser semicondutor modulado diretamente em intensidade sob fracos e fortes sinais. Através da utilização de dispositivo passivo (filtro supressor) e ativo (FET de dupla porta) de microondas aplaina-se a resposta em freqüência nu...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: MARIA THEREZA MIRANDA ROCCO GIRALDI
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2007
País:Brasil
Institución:Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)
Repositorio:Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
Idioma:portugués
OAI Identifier:oai:MAXWELL.puc-rio.br:9469
Acceso en línea:https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9469&idi=1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9469&idi=2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.9469
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:[pt] COMUNICACOES OPTICAS
[pt] LASER SEMICONDUTOR
[en] OPTICAL COMMUNICATIONS
[en] SEMICONDUCTOR LASERS
Descripción
Sumario:[pt] Neste trabalho apresenta-se um estudo do comportamento dinâmico de laser semicondutor modulado diretamente em intensidade sob fracos e fortes sinais. Através da utilização de dispositivo passivo (filtro supressor) e ativo (FET de dupla porta) de microondas aplaina-se a resposta em freqüência numa faixa em torno de 1,5 GHz. Resultados medidos e modelados são comparados mostrando boa concordância.